| 序號 | 設備名稱 | 設備要求 | 數量 | 單位 |
| 1 | X射線衍射儀 | X射線發(fā)生器:最大功率3KW;最大管壓:60KV最大管流:60mA;2.陶瓷x光管:最大功率:2.2KW(Cu靶)最大管壓:60KV最大管流:55mA;3.測角儀:掃描方式:0θ/θ或2θ/θ模式角度重現性:士0.0001°(空載);4.探測器:正比探測器:99%線性范圍1x106cps,最大背景<0.2cps;5.半導體陣列探測器:最大計數率4x106cps,99%線性范圍1 x10cps,最大背景<0.1cps | 1 | 臺 |
| 2 | X射線熒光光譜儀 | 測量元素范圍:O~Am元素測定;探測器分辨率≤137 eV ;穩(wěn)定性及精度:測量Al、Cu和Ba三個元素,12小時內連續(xù)測量不少于176次,強度統(tǒng)計相對誤差必須小于0.05%。 | 1 | 臺 |
| 3 | 等離子體發(fā)射光譜儀 | 波長范圍165-900nm,分辨率<0.009nm;焦距0.3m;光柵密度79/mm。 | 1 | 臺 |
| 4 | 標準物質基體制備裝置 | 進料粒度:<5mm,出料粒度:<200目;(大容量微波干燥炭化灰化一體機) | 1 | 臺 |
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